Tại hội nghị Hot Chips 2026, Micron đưa ra cảnh báo mức tiêu hao diện tích tấm wafer bán dẫn của bộ nhớ HBM đang tăng vọt qua từng thế hệ, bóp nghẹt nguồn cung RAM DDR5.
- Chuyên gia Micron cảnh báo mức thiệt hại diện tích wafer (Wafer Penalty) của HBM so với DDR5 ngày càng mở rộng.
- Sản xuất 1 bit nhớ HBM tiêu tốn diện tích silicon gấp 3 đến 4 lần so với sản xuất 1 bit nhớ DDR5 tiêu chuẩn.
- Báo hiệu tình trạng khan hiếm và đà tăng giá bộ nhớ RAM máy tính cá nhân sẽ tiếp tục kéo dài.
Tại diễn đàn công nghệ bán dẫn Hot Chips 2026, chuyên gia cao cấp Raghu Sreeramaneni thuộc tập đoàn bộ nhớ Micron đã công bố những phân tích đáng báo động về chi phí diện tích sản xuất của HBM. Theo Micron, khoảng cách chênh lệch về mức tiêu hao diện tích tấm wafer silicon (Wafer Penalty) giữa bộ nhớ băng thông cao HBM máy chủ và bộ nhớ RAM DDR5 truyền thống đang ngày càng nới rộng nghiêm trọng qua từng thế hệ phát triển.
Để sản xuất ra cùng dung lượng bit nhớ, các module HBM3E và HBM4 cần diện tích đế silicon lớn gấp từ 3 đến 4 lần so với việc sản xuất các chip nhớ DDR5 tiêu chuẩn. Lý do cho vấn đề này là phải tích hợp thêm hàng ngàn lỗ xuyên silicon (TSV), mạch logic điều khiển và các lớp đệm bảo vệ phức tạp. Điều này cũng có nghĩa là cứ mỗi tấm wafer chuyển sang sản xuất HBM cho các cụm máy chủ AI, thị trường máy tính cá nhân sẽ bị mất đi sản lượng tương đương của 3 đến 4 tấm wafer DDR5.
Thực trạng này giải thích nguyên nhân vì sao giá bán lẻ các bộ kit RAM DDR5 và DDR4 trên toàn cầu liên tục tăng phi mã trong thời gian qua. Khi biên lợi nhuận của các hợp đồng cung ứng HBM cho NVIDIA và các tập đoàn AI vượt trội hơn hẳn mảng tiêu dùng, các nhà sản xuất bộ nhớ lớn như Micron, Samsung và SK Hynix sẽ tiếp tục ưu tiên tối đa công suất cho HBM, đẩy người dùng tự ráp PC vào tình thế khan hiếm linh kiện kéo dài trong nhiều năm tới.
